FDM47-06KC5 Todos los transistores

 

FDM47-06KC5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDM47-06KC5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 150 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4
 

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FDM47-06KC5 Datasheet (PDF)

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FDM47-06KC5

FMD 47-06KC5Advanced Technical InformationFDM 47-06KC5ID25 = 47 ACoolMOS 1) Pow er MOSFETVDSS = 600 Vwith HiPerDyn FREDRDS(on) max = 0.045 Buck and Boost Topologies3 3ISOPLUS i4Electrically isolated back surface T2500 V electrical isolation5DN-Channel Enhancement Mode144Low RDSon, high VDSS MOSFET isolated backE72873 5Ultra low gate charg

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