FDM47-06KC5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDM47-06KC5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUSI4
Búsqueda de reemplazo de FDM47-06KC5 MOSFET
FDM47-06KC5 Datasheet (PDF)
fmd47-06kc5 fdm47-06kc5.pdf

FMD 47-06KC5Advanced Technical InformationFDM 47-06KC5ID25 = 47 ACoolMOS 1) Pow er MOSFETVDSS = 600 Vwith HiPerDyn FREDRDS(on) max = 0.045 Buck and Boost Topologies3 3ISOPLUS i4Electrically isolated back surface T2500 V electrical isolation5DN-Channel Enhancement Mode144Low RDSon, high VDSS MOSFET isolated backE72873 5Ultra low gate charg
Otros transistores... TF202THC , TF252 , TF252TH , TF256 , TF256TH , WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , IRFP250N , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , FMD40-06KC , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 .
History: NTH4L027N65S3F | STB18N65M5 | STB18N60M2 | HSM4606 | BLP065N08G-U | TPW60R090MFD | CS3710B8
History: NTH4L027N65S3F | STB18N65M5 | STB18N60M2 | HSM4606 | BLP065N08G-U | TPW60R090MFD | CS3710B8



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
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