IXFA110N15T2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA110N15T2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO263

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IXFA110N15T2 datasheet

 ..1. Size:204K  ixys
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IXFA110N15T2

Preliminary Technical Information TrenchT2TM HiperFET VDSS = 150V IXFA110N15T2 ID25 = 110A Power MOSFET IXFP110N15T2 RDS(on) 13m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V (TAB) VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 150 V TO-220 VGSS Continuous 20 V VGSM T

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 ixfa14n60p3 ixfh14n60p3.pdf pdf_icon

IXFA110N15T2

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA14N60P3 Power MOSFETs ID25 = 14A IXFP14N60P3 RDS(on) 540m IXFH14N60P3 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXFA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 15

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 ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf pdf_icon

IXFA110N15T2

IXFA 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFH 16N50P ID25 = 16 A Power MOSFET IXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

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 ixfp12n65x2m ixfp12n65x2 ixfa12n65x2 ixfh12n65x2.pdf pdf_icon

IXFA110N15T2

X2-Class HiPERFET VDSS = 650V IXFA12N65X2 Power MOSFET ID25 = 12A IXFP12N65X2 RDS(on) 310m IXFH12N65X2 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 (IXFA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXFP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VGSM Tr

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