IXFA7N80P Todos los transistores

 

IXFA7N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFA7N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.44 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFA7N80P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFA7N80P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:159K  ixys
 ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf pdf_icon

IXFA7N80P

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA7N60P3Power MOSFETs ID25 = 7AIXFP7N60P3 RDS(on) 1.15 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263 AA (IXFA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 600 VD (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 600 VTO-220AB

 9.1. Size:180K  ixys
 ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf pdf_icon

IXFA7N80P

Advance Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150VIXFA76N15T2ID25 = 76APower MOSFETIXFP76N15T2 RDS(on) 20m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated TO-263 AA (IXFA)Fast Intrnsic RectifierGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB)VDSS TJ = 25C to 175C 150 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M

Otros transistores... IXFA3N120 , IXFA3N80 , IXFA4N100P , IXFA4N100Q , IXFA5N100P , IXFA6N120P , IXFA76N15T2 , IXFA7N100P , MMD60R360PRH , IXFB100N50P , IXFB100N50Q3 , IXFB110N60P3 , IXFB120N50P2 , IXFB132N50P3 , IXFB170N30P , IXFB210N20P , IXFB300N10P .

History: IRFS244 | SST70R300S2R | STP24N60M2 | SML20B67F | UT2302G-AE3 | HY3007PM | IXFA5N100P

 

 
Back to Top

 


 
.