IXFA7N80P Todos los transistores

 

IXFA7N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFA7N80P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 32 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.44 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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IXFA7N80P Datasheet (PDF)

4.1. ixfa7n60p3 ixfp7n60p3.pdf Size:159K _ixys

IXFA7N80P
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Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600V IXFA7N60P3 Power MOSFETs ID25 = 7A IXFP7N60P3 ≤ Ω RDS(on) ≤ Ω ≤ 1.15Ω ≤ Ω ≤ Ω N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-263 AA (IXFA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25°C to 150°C 600 V D (Tab) VDGR TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ 600 V TO-220AB

5.1. ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf Size:180K _ixys

IXFA7N80P
IXFA7N80P

Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150V IXFA76N15T2 ID25 = 76A Power MOSFET IXFP76N15T2 ? ? RDS(on) ? ? ? 20m? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrnsic Rectifier G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB) VDSS TJ = 25C to 175C 150 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M? 150 V VGSS Continuous

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