IXFC110N10P Todos los transistores

 

IXFC110N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFC110N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFC110N10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  ixys
 ixfc110n10p.pdf pdf_icon

IXFC110N10P

IXFC 110N10P VDSS = 100 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 60 APower MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TMtrr 150 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ

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 ixfc14n60p.pdf pdf_icon

IXFC110N10P

IXFC 14N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 8 APower MOSFET RDS(on) 630 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ

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 ixfc16n50p.pdf pdf_icon

IXFC110N10P

IXFC 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 10 APower MOSFET RDS(on) 450 m ISOPLUS220TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedISOPLUS220TM (IXFC)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR T

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BLP042N10G-P | FQA5N90

 

 
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