IXFC16N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFC16N50P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Encapsulados: ISOPLUS220
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IXFC16N50P datasheet
ixfc16n50p.pdf
IXFC 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 10 A Power MOSFET RDS(on) 450 m ISOPLUS220TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated ISOPLUS220TM (IXFC) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR T
ixfc14n60p.pdf
IXFC 14N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 8 A Power MOSFET RDS(on) 630 m ISOPLUS220TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ
ixfc110n10p.pdf
IXFC 110N10P VDSS = 100 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 60 A Power MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TM trr 150 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ
Otros transistores... IXFB82N60Q3 , IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P , IXFC14N80P , IXFC15N80Q , 2N7000 , IXFC16N80P , IXFC20N80P , IXFC22N60P , IXFC24N50 , IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P .
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