IXFC16N80P Todos los transistores

 

IXFC16N80P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFC16N80P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS220

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IXFC16N80P datasheet

 7.1. Size:223K  ixys
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IXFC16N80P

IXFC 16N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 10 A Power MOSFET RDS(on) 450 m ISOPLUS220TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated ISOPLUS220TM (IXFC) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR T

 9.1. Size:229K  ixys
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IXFC16N80P

IXFC 14N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 8 A Power MOSFET RDS(on) 630 m ISOPLUS220TM trr 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ

 9.2. Size:230K  ixys
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IXFC16N80P

IXFC 110N10P VDSS = 100 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 60 A Power MOSFET RDS(on) 17 m ISOPLUS220TM trr 150 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ

Otros transistores... IXFC10N80P , IXFC110N10P , IXFC12N80P , IXFC13N50 , IXFC14N60P , IXFC14N80P , IXFC15N80Q , IXFC16N50P , P55NF06 , IXFC20N80P , IXFC22N60P , IXFC24N50 , IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P .

 

 

 


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