IXFC26N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFC26N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 230 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 23 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V
Carga de compuerta (Qg): 135 nC
Tiempo de elevación (tr): 250 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Empaquetado / Estuche: ISOPLUS220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFC26N50
IXFC26N50 Datasheet (PDF)
1.1. ixfc26n50p.pdf 
Size:175K _ixys
IXFC 26N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 15 A Power MOSFET ≤ Ω RDS(on) ≤ 260 mΩ ≤ Ω ≤ Ω ≤ Ω ISOPLUS 220TM (Electrically Isolated Tab) ≤ trr ≤ 250 ns ≤ ≤ ≤ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25° C to 150° C 500 V VDGR TJ = 25°
5.1. ixfc22n60p.pdf Size:231K _ixys
IXFC 22N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 12 A Power MOSFET ≤ Ω RDS(on) ≤ 360 mΩ ≤ Ω ≤ Ω ≤ Ω ISOPLUS220TM ≤ trr ≤ 200 ns ≤ ≤ ≤ (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) VDSS TJ = 25° C to 150° C 600 V E153432 VDGR T
5.2. ixfc20n80p ixfr20n80p.pdf Size:133K _ixys
IXFC 20N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 20N80P ID25 = 10 A Power MOSFET ≤ Ω RDS(on) ≤ 500 mΩ ≤ Ω ≤ Ω ≤ Ω Electrically Isolated Back Surface ≤ trr ≤ 250 ns ≤ ≤ ≤ N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) VDSS TJ = 25°C to 150°C 800 V E153432 VDGR TJ = 25°C to
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
