IXFC96N15P Todos los transistores

 

IXFC96N15P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFC96N15P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 42 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 110 nC

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFC96N15P

 

IXFC96N15P Datasheet (PDF)

1.1. ixfc96n15p.pdf Size:119K _ixys

IXFC96N15P
IXFC96N15P

IXFC 96N15P VDSS = 150 V PolarHTTM HiPerFET ID25 = 42 A Power MOSFET ? RDS(on) = 26 m? ? ? ? ISOPLUS220TM trr < 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode, Avalanche Rated ISOPLUS 220TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 175C 150 V VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M? 150 V G VGS Continuous 20 V D

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


IXFC96N15P
  IXFC96N15P
  IXFC96N15P
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: GSM4422 | GSM4412W | GSM4412 | GSM4403 | GSM4401S | GSM4248W | GSM4228 | GSM4214W | GSM4214 | GSM4210W | GSM4210 | GSM4172WS | GSM4172S | GSM4134W | GSM4134 |

 

 

 
Back to Top