IXFC96N15P Todos los transistores

 

IXFC96N15P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFC96N15P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 42 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 110 nC

Tiempo de elevación (tr): 200 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.026 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFC96N15P

 

IXFC96N15P Datasheet (PDF)

1.1. ixfc96n15p.pdf Size:119K _ixys

IXFC96N15P
IXFC96N15P

IXFC 96N15P VDSS = 150 V PolarHTTM HiPerFET ID25 = 42 A Power MOSFET ? RDS(on) = 26 m? ? ? ? ISOPLUS220TM trr < 200 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode, Avalanche Rated ISOPLUS 220TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 175C 150 V VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M? 150 V G VGS Continuous 20 V D

Otros transistores... IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IXFC74N20P , IXFC80N085 , 2N4416 , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 , IXFE44N50QD3 .

 
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