IXFC96N15P Todos los transistores

 

IXFC96N15P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFC96N15P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
 

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IXFC96N15P Datasheet (PDF)

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IXFC96N15P

IXFC 96N15P VDSS = 150 VPolarHTTM HiPerFETID25 = 42 APower MOSFETRDS(on) = 26 mISOPLUS220TMtrr

Otros transistores... IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IXFC74N20P , IXFC80N085 , 5N60 , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 , IXFE44N50QD3 .

History: STL80N3LLH6 | BUK962R8-30B

 

 
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