IXFC96N15P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFC96N15P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
Búsqueda de reemplazo de IXFC96N15P MOSFET
IXFC96N15P Datasheet (PDF)
ixfc96n15p.pdf
IXFC 96N15P VDSS = 150 VPolarHTTM HiPerFETID25 = 42 APower MOSFETRDS(on) = 26 mISOPLUS220TMtrr
Otros transistores... IXFC26N50 , IXFC26N50P , IXFC30N60P , IXFC36N50P , IXFC52N30P , IXFC60N20 , IXFC74N20P , IXFC80N085 , IRLB4132 , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , IXFE39N90 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 , IXFE44N50QD3 .
History: HM4612D | NTD5862N-1G | STP16NK60Z
History: HM4612D | NTD5862N-1G | STP16NK60Z
Liste
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