IXFE39N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFE39N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 580 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS227
Búsqueda de reemplazo de IXFE39N90 MOSFET
IXFE39N90 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... IXFC60N20 , IXFC74N20P , IXFC80N085 , IXFC96N15P , IXFE180N10 , IXFE180N20 , IXFE23N100 , IXFE24N100 , AON7410 , IXFE44N50Q , IXFE44N50QD2 , IXFE44N50QD3 , IXFE44N60 , IXFE48N50Q , IXFE48N50QD2 , IXFE48N50QD3 , IXFE50N50 .
History: IPD053N06N | SVGQ109R5NAD | DMN3730UFB4 | FTK123 | IRF5NJ540 | PHP160NQ08T | FTK84D
History: IPD053N06N | SVGQ109R5NAD | DMN3730UFB4 | FTK123 | IRF5NJ540 | PHP160NQ08T | FTK84D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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