IXFF24N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFF24N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 391 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 22 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 250 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.39 Ohm

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS_i4PAC

Otros transistores... IXFE44N60 , IXFE48N50Q , IXFE48N50QD2 , IXFE48N50QD3 , IXFE50N50 , IXFE55N50 , IXFE73N30Q , IXFE80N50 , IRF250 , IXFF80N50Q2 , IXFG55N50 , IXFH100N25P , IXFH102N15T , IXFH10N100P , IXFH10N80P , IXFH110N10P , IXFH110N15T2 .