IXFF80N50Q2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFF80N50Q2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
Encapsulados: ISOPLUS I4PAC
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IXFF80N50Q2 datasheet
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Otros transistores... IXFE48N50Q , IXFE48N50QD2 , IXFE48N50QD3 , IXFE50N50 , IXFE55N50 , IXFE73N30Q , IXFE80N50 , IXFF24N100 , AON7506 , IXFG55N50 , IXFH100N25P , IXFH102N15T , IXFH10N100P , IXFH10N80P , IXFH110N10P , IXFH110N15T2 , IXFH110N25T .
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