IXFH12N80P Todos los transistores

 

IXFH12N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH12N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 360 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXFH12N80P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:53K  ixys
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IXFH12N80P

IXFH 12N90Q VDSS = 900 VHiPerFETTMIXFT 12N90Q ID25 = 12 APower MOSFETsRDS(on) = 0.9 WQ ClassN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedLow Qg, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC

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IXFH12N80P

X2-Class HiPERFET VDSS = 650VIXFA12N65X2Power MOSFET ID25 = 12AIXFP12N65X2 RDS(on) 310m IXFH12N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tr

 7.3. Size:570K  ixys
 ixfh10n100 ixfm10n100 ixfh12n100 ixfm12n100.pdf pdf_icon

IXFH12N80P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N100 1000 V 10 A 1.20 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

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 ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf pdf_icon

IXFH12N80P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 Power MOSFETsIXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 N-Channel Enhancement Mode 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr TO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 1

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History: BUK9611-55A | IPD06N03LBG | H5N5016PL | AON6458 | NX3008PBKS | NCE0224A | AON6572

 

 
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