IXFH12N90P Todos los transistores

 

IXFH12N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH12N90P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 380 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 900 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V

Carga de compuerta (Qg): 56 nC

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH12N90P

 

IXFH12N90P Datasheet (PDF)

1.1. ixfh12n90p ixfv12n90p-s.pdf Size:179K _ixys

IXFH12N90P
IXFH12N90P

Preliminary Technical Information IXFH12N90P VDSS = 900V PolarTM Power MOSFET IXFV12N90P ID25 = 12A HiPerFETTM ? ? RDS(on) ? ? ? 900m? ? ? IXFV12N90PS ? ? ? trr ? ? 300ns ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated PLUS220 (IXFV) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25C to 150C 900 V D (TAB) VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M? 900

1.2. ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf Size:179K _ixys

IXFH12N90P
IXFH12N90P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM ? IXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 ? ? ? ? Power MOSFETs ? IXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 ? ? ? ? ? IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? ? 250 ns ? ? High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr ? TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 900 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

 1.3. ixfh12n90q ixft12n90q.pdf Size:53K _ixys

IXFH12N90P
IXFH12N90P

IXFH 12N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 12N90Q ID25 = 12 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.9 W Q Class N-Channel Enhancement Mode trr £ 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25°C to 150°C 900 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous ±20 V VGSM Transient ±30 V ID25 TC

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


IXFH12N90P
  IXFH12N90P
  IXFH12N90P
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: GSM4422 | GSM4412W | GSM4412 | GSM4403 | GSM4401S | GSM4248W | GSM4228 | GSM4214W | GSM4214 | GSM4210W | GSM4210 | GSM4172WS | GSM4172S | GSM4134W | GSM4134 |

 

 

 
Back to Top