IXFH13N100 Todos los transistores

 

IXFH13N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH13N100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 300 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 122 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH13N100

 

IXFH13N100 Datasheet (PDF)

3.1. ixfh10n90 ixfm10n90 ixfh12n90 ixfm12n90 ixfh13n90 ixfm13n90.pdf Size:179K _ixys

IXFH13N100
IXFH13N100

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM ? IXFH/IXFM 10 N90 900 V 10 A 1.1 ? ? ? ? Power MOSFETs ? IXFH/IXFM 12 N90 900 V 12 A 0.9 ? ? ? ? ? IXFH/IXFT 13 N90 900 V 13 A 0.8 ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? ? 250 ns ? ? High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr ? TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 900 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

3.2. ixfh13n50 ixfm13n50.pdf Size:82K _ixys

IXFH13N100
IXFH13N100

HiPerFETTM IXFH 13 N50 VDSS = 500 V Power MOSFETs IXFM 13 N50 ID (cont) = 13 A RDS(on) = 0.4 W N-Channel Enhancement Mode trr ? 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 500 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25C13 A TO-204 AA (IXFM) IDM

 3.3. ixfh13n80q ixft13n80q.pdf Size:50K _ixys

IXFH13N100
IXFH13N100

IXFH 13N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 13N80Q ID25 = 13 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.70 W Q Class N-Channel Enhancement Mode trr £ 250 ns Avalanche Rated High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet TO-268 (D3) (IXFT) Case Style Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25°C to 150°C 800 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MW 800 V G VGS Continuous ±20 V (TAB) S VGSM

3.4. ixfh11n80 ixfh13n80 ixfm11n80 ixfm13n80.pdf Size:95K _ixys

IXFH13N100
IXFH13N100

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 11 N80 800 V 11 A 0.95 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 13 N80 800 V 13 A 0.80 W trr ? 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25C 11N80

Otros transistores... IXFH120N20P , IXFH12N100F , IXFH12N100P , IXFH12N120 , IXFH12N120P , IXFH12N50F , IXFH12N80P , IXFH12N90P , IRFBC40 , IXFH13N90 , IXFH140N10P , IXFH14N100Q2 , IXFH14N60P , IXFH14N80P , IXFH150N15P , IXFH150N17T , IXFH150N17T2 .

 

 
Back to Top

 


IXFH13N100
  IXFH13N100
  IXFH13N100
  IXFH13N100
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SW1N55D | SKI10297 | SKI10195 | SKI10123 | SKI07171 | SKI07114 | SKI07074 | SKI06106 | SKI06073 | SKI06048 | SKI04044 | SKI04033 | SKI04024 | SKI03087 | SKI03063 |

 

 

 
Back to Top