IXFH140N10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFH140N10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH140N10P

IXFH140N10P Datasheet (PDF)

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ixfh140n10p ixft140n10p.pdf

IXFH 140N10P VDSS = 100 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 140N10P ID25 = 140 APower MOSFETs RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode trr 150 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS Continu

8.1. Size:426K 1
ixfh11n80 ixfm11n80 ixfh13n80 ixfm13n80 ixfh14n80 ixfm14n80 ixfh15n80 ixfm15n80.pdf

8.2. Size:173K ixys
ixfa14n60p3 ixfh14n60p3.pdf

Advance Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA14N60P3Power MOSFETs ID25 = 14AIXFP14N60P3 RDS(on) 540m IXFH14N60P3N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 15

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ixfa14n60p ixfh14n60p ixfp14n60p.pdf

IXFA 14N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFH 14N60P ID25 = 14 APower MOSFET IXFP 14N60P RDS(on) 550 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V S(TAB)VGS Continuous 30 VV

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ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 WPower MOSFETsIXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 Wtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyPreliminary data sheetTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 V(TAB)VGS Continuous

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ixfh14n80 ixfh15n80.pdf

HiPerFETTM Power MOSFETsVDSS ID25 RDS(on)N-Channel Enhancement Mode IXFH14N80 800 V 14 A 0.70 High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family IXFH15N80 800 V 15 A 0.60 trr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: