IXFH15N100Q3 Todos los transistores

 

IXFH15N100Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFH15N100Q3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 690 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1000 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 6.5 V

Carga de compuerta (Qg): 64 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.05 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFH15N100Q3

 

IXFH15N100Q3 Datasheet (PDF)

1.1. ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf Size:116K _ixys

IXFH15N100Q3
IXFH15N100Q3

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 W Power MOSFETs IXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 W trr ? 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data sheet TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 1000 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 1000 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGS

3.1. ixfh15n60 ixfh20n60 ixfm15n60 ixfm20n60.pdf Size:82K _ixys

IXFH15N100Q3
IXFH15N100Q3

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFM 15 N60 600 V 15 A 0.50 W Power MOSFETs IXFH/IXFM 20 N60 600 V 20 A 0.35 W trr ? 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 600 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25C 15N60

3.2. ixfh15n80q ixft15n80q.pdf Size:111K _ixys

IXFH15N100Q3
IXFH15N100Q3

IXFH 15N80Q VDSS = 800 V HiPerFETTM IXFT 15N80Q ID25 = 15 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.60 W Q-Class trr ? 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) ID25 TC = 25C15 A IDM TC = 25C,

 3.3. ixfh14n80 ixfh15n80.pdf Size:112K _ixys

IXFH15N100Q3
IXFH15N100Q3

HiPerFETTM Power MOSFETs VDSS ID25 RDS(on) N-Channel Enhancement Mode ? ? ? ? IXFH14N80 800 V 14 A 0.70 ? High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family ? ? ? ? IXFH15N80 800 V 15 A 0.60 ? ? trr ? ? 250 ns ? ? Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 800 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25

Otros transistores... IXFH14N100Q2 , IXFH14N60P , IXFH14N80P , IXFH150N15P , IXFH150N17T , IXFH150N17T2 , IXFH15N100P , IXFH15N100Q , BUK455-200A , IXFH15N80Q , IXFH160N15T , IXFH160N15T2 , IXFH16N120P , IXFH16N50P , IXFH16N80P , IXFH16N90Q , IXFH170N10P .

 

 
Back to Top

 


IXFH15N100Q3
  IXFH15N100Q3
  IXFH15N100Q3
  IXFH15N100Q3
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SW1N55D | SKI10297 | SKI10195 | SKI10123 | SKI07171 | SKI07114 | SKI07074 | SKI06106 | SKI06073 | SKI06048 | SKI04044 | SKI04033 | SKI04024 | SKI03087 | SKI03063 |

 

 

 
Back to Top