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IXFH30N50Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFH30N50Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 690 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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IXFH30N50Q3 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:109K  ixys
 ixfh30n50q.pdf pdf_icon

IXFH30N50Q3

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT 30N50500 V 30 A 0.16 WPower MOSFETsIXFH/IXFT 32N50500 V 32 A 0.15 WN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Familytrr 250 nsTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)ID25 TC

 5.1. Size:320K  ixys
 ixfh30n50p ixft30n50p ixfv30n50p.pdf pdf_icon

IXFH30N50Q3

VDSS = 500 VIXFH 30N50PPolarHVTM HiPerFETID25 = 30 AIXFT 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50PN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsIXFV 30N50PSAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VD (TAB)VDGR TJ = 25 C to

 5.2. Size:110K  ixys
 ixfh30n50 ixfh32n50 ixft30n50 ixft32n50.pdf pdf_icon

IXFH30N50Q3

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFT 30N50500 V 30 A 0.16 WPower MOSFETsIXFH/IXFT 32N50500 V 32 A 0.15 WN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Familytrr 250 nsTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VD (TAB)ID25 TC

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History: IRF4104SPBF

 

 
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