IXFK26N100P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK26N100P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 780 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXFK26N100P datasheet

 7.1. Size:251K  ixys
 ixfk26n90 ixfx26n90 ixfk25n90 ixfx25n90.pdf pdf_icon

IXFK26N100P

www.DataSheet4U.com VDSS IDSS RDS(on) trr HiPerFETTM Power MOSFETs IXFK/IXFX 26N90 900 V 26 A 0.30 W 250 ns IXFK/IXFX 25N90 900 V 25 A 0.33 W 250 ns Single MOSFET Die Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V (TAB) G VGSM Transient 30 V D S ID2

 7.2. Size:104K  ixys
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IXFK26N100P

IXFK 26N60Q VDSS = 600 V HiPerFETTM IXFX 26N60Q ID25 = 26 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.25 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGS Conti

 8.1. Size:122K  ixys
 ixfk260n17t ixfx260n17t.pdf pdf_icon

IXFK26N100P

Advance Technical Information GigaMOSTM VDSS = 170V IXFK260N17T ID25 = 260A Power MOSFET IXFX260N17T RDS(on) 6.5m trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C 170 V D (TAB) S VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS =

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