IXFK26N120P Todos los transistores

 

IXFK26N120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFK26N120P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFK26N120P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:251K  ixys
 ixfk26n90 ixfx26n90 ixfk25n90 ixfx25n90.pdf pdf_icon

IXFK26N120P

www.DataSheet4U.comVDSS IDSS RDS(on) trrHiPerFETTM Power MOSFETsIXFK/IXFX 26N90 900 V 26 A 0.30 W 250 nsIXFK/IXFX 25N90 900 V 25 A 0.33 W 250 nsSingle MOSFET DiePreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID2

 7.2. Size:104K  ixys
 ixfk26n60q ixfx26n60q.pdf pdf_icon

IXFK26N120P

IXFK 26N60Q VDSS = 600 VHiPerFETTMIXFX 26N60Q ID25 = 26 APower MOSFETsRDS(on) = 0.25 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Conti

 8.1. Size:122K  ixys
 ixfk260n17t ixfx260n17t.pdf pdf_icon

IXFK26N120P

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 170VIXFK260N17TID25 = 260APower MOSFETIXFX260N17T RDS(on) 6.5m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 170 VD(TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS =

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History: IRLR3715 | FMC20N50E

 

 
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