IXFK48N60P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK48N60P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXFK48N60P datasheet

 ..1. Size:223K  ixys
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IXFK48N60P

IXFK 48N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 48N60P ID2 = 48 A Power MOSFET RDS(on) 135m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGSS Continuou

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IXFK48N60P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

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IXFK48N60P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

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IXFK48N60P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK/IXFX 48N50Q 500 V 48 A 100 m Power MOSFETs IXFK/IXFX 44N50Q 500 V 44 A 120 m Q-CLASS trr 250 ns Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg PLUS 247TM (IXFX) High dV/dt, Low trr Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150

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