IXFK52N60Q2 Todos los transistores

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IXFK52N60Q2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK52N60Q2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 735 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 52 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.115 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO264

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IXFK52N60Q2 Datasheet (PDF)

3.1. ixfh52n30q ixfk52n30q ixft52n30q.pdf Size:70K _ixys

IXFK52N60Q2
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IXFH 52N30Q HiPerFETTM VDSS = 300 V IXFK 52N30Q Power MOSFETs ID25 = 52 A IXFT 52N30Q Q-Class RDS(on) = 60 mW trr ? 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 300 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 V VGS Continuous 20 V

4.1. ixfk520n075t2 ixfx520n075t2.pdf Size:178K _ixys

IXFK52N60Q2
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Advance Technical Information TrenchT2TM GigaMOSTM VDSS = 75V IXFK520N075T2 HiperFETTM ID25 = 520A IXFX520N075T2 ? ? Power MOSFET RDS(on) ? 2.2m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 175C75 V Tab D S VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M? 75 V VGSS Continuous 20 V

5.1. ixfk50n50 ixfn50n50 ixfk55n50 ixfn55n50.pdf Size:121K _ixys

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VDSS ID25 RDS(on) trr HiPerFETTM Power MOSFET IXFN 55N50 500V 55A 80mΩ 250ns IXFN 50N50 500V 50A 100mΩ 250ns IXFK 55N50 500V 55A 80mΩ 250ns Single Die MOSFET IXFK 50N50 500V 50A 100mΩ 250ns Preliminary data sheet TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFN IXFK IXFK IXFN 55N50 50N50 55N50 50N50 VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 500 V VDGR TJ = 25°C to 150°C

5.2. ixfk55n50 ixfx55n50 ixfn55n50.pdf Size:577K _ixys

IXFK52N60Q2
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VDSS = 500 V IXFK 55N50 HiPerFETTM ID25 = 55 A IXFX 55N50 Power MOSFET ? RDS(on) = 90m? ? ? ? IXFN 55N50 ? 250 ns trr ? ? ? ? Single Die MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXFX) VDSS TJ = 25C to 150C 500 V VDGR TJ = 25C to 150C 500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V (TAB) G C ID25 TC = 25C55 A E IDM TC = 25C, pulse width limited by TJ

Otros transistores... IXFK44N50Q , IXFK44N55Q , IXFK44N80P , IXFK44N80Q3 , IXFK48N55 , IXFK48N60P , IXFK48N60Q3 , IXFK520N075T2 , BUZ11 , IXFK55N50F , IXFK60N55Q2 , IXFK62N25 , IXFK64N50P , IXFK64N50Q3 , IXFK64N60P , IXFK64N60P3 , IXFK64N60Q3 .

 


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