IXFK64N60Q3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK64N60Q3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXFK64N60Q3 datasheet

 5.1. Size:169K  ixys
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IXFK64N60Q3

IXFK 64N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 64N60P ID25 = 64 A Power MOSFET RDS(on) 96 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGSS Contin

 7.1. Size:225K  ixys
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IXFK64N60Q3

IXFK 64N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 64N50P ID25 = 64 A Power MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuo

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IXFK64N60Q3

Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250

Otros transistores... IXFK52N60Q2, IXFK55N50F, IXFK60N55Q2, IXFK62N25, IXFK64N50P, IXFK64N50Q3, IXFK64N60P, IXFK64N60P3, IRFP250N, IXFK66N50Q2, IXFK73N30Q, IXFK74N50P2, IXFK78N50P3, IXFK80N15Q, IXFK80N50P, IXFK80N50Q3, IXFK80N60P3