IXFK64N60Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFK64N60Q3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 64 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 6.5 V
Carga de la puerta (Qg): 190 nC
Tiempo de subida (tr): 300 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFK64N60Q3
IXFK64N60Q3 Datasheet (PDF)
ixfk64n60p ixfx64n60p.pdf
IXFK 64N60PVDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 64N60PID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 96 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGSS Contin
ixfk64n50p ixfx64n50p.pdf
IXFK 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 64N50P ID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS Continuo
ixfh60n25q ixfk60n25q ixft60n25q.pdf
Advanced Technical InformationIXFH 60N25QHiPerFETTMVDSS = 250 VIXFK 60N25QPower MOSFETs ID25 = 60 AIXFT 60N25QQ-Class RDS(on) = 47 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrLow Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 250
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
