IXFK66N50Q2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK66N50Q2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 735 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXFK66N50Q2 datasheet

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IXFK66N50Q2

IXFK 64N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 64N60P ID25 = 64 A Power MOSFET RDS(on) 96 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGSS Contin

 9.2. Size:225K  ixys
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IXFK66N50Q2

IXFK 64N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 64N50P ID25 = 64 A Power MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuo

 9.3. Size:71K  ixys
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IXFK66N50Q2

Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250

Otros transistores... IXFK55N50F, IXFK60N55Q2, IXFK62N25, IXFK64N50P, IXFK64N50Q3, IXFK64N60P, IXFK64N60P3, IXFK64N60Q3, IRF630, IXFK73N30Q, IXFK74N50P2, IXFK78N50P3, IXFK80N15Q, IXFK80N50P, IXFK80N50Q3, IXFK80N60P3, IXFK88N20Q