IXFK80N50P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFK80N50P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1040 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: TO264

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IXFK80N50P datasheet

 ..1. Size:230K  ixys
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IXFK80N50P

IXFK 80N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 80N50P ID25 = 80 A Power MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSM Transient

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IXFK80N50P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK72N20 200 V 72 A 35 mW Power MOSFETs IXFK80N20 200 V 80 A 30 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V G VGS Continuous 20 V (TAB) D S VGSM Transient 30 V ID25

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IXFK80N50P

IXFH 80N20Q HiPerFETTM VDSS = 200 V IXFK 80N20Q Power MOSFETs ID25 = 80 A IXFT 80N20Q Q-Class RDS(on) = 28 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transi

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IXFK80N50P

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