IXFN32N120P Todos los transistores

 

IXFN32N120P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN32N120P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFN32N120P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:192K  ixys
 ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf pdf_icon

IXFN32N120P

IXFK 32N60 IXFN 32N60IXFK 36N60 IXFN 36N60Preliminary DataVDSS ID25 RDS(on) trrIXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250nsHiPerFETTM Power MOSFETIXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 600 600 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

 9.1. Size:128K  ixys
 ixfn39n90.pdf pdf_icon

IXFN32N120P

VDSS = 900 VIXFN 39N90HiPerFETTMID25 = 39 APower MOSFETsRDS(on) = 0.22 Single MOSFET DieD trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VE153432VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900

 9.2. Size:128K  ixys
 ixfn36n100.pdf pdf_icon

IXFN32N120P

HiPerFETTMIXFN 36N100 V = 1000VDSSPower MOSFETsID25 = 36ASingle Die MOSFET RDS(on) = 0.24DN-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VVGSM

 9.3. Size:128K  ixys
 ixfn34n80.pdf pdf_icon

IXFN32N120P

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFN 34N80 VDSS = 800 VSingle DieMOSFETID25 = 34 ARDS(on) = 0.24 WN-Channel Enhancement Mode DAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsPreliminary data sheetSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transi

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History: WNM6001 | STK28N3LLH5 | IRF7103PBF | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C | WSD2012DN25 | NCEAP40T17AD

 

 
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