3N206 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3N206
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 100 Ohm
Paquete / Cubierta: TO72
Búsqueda de reemplazo de 3N206 MOSFET
3N206 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 3N191 , 3N200 , 3N201 , 3N202 , 3N203 , 3N203A , 3N204 , 3N205 , SPP20N60C3 , 3N209 , 3N210 , 3N211 , 3N212 , 3N213 , 3N242 , 3N323 , 3N324 .
History: IRL2703SPBF
History: IRL2703SPBF
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290

