IXFN64N60P Todos los transistores

 

IXFN64N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN64N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.096 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFN64N60P Datasheet (PDF)

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IXFN64N60P

VDSS = 600 VIXFN 64N60PPolarHVTM HiPerFETID25 = 50 APower MOSFET RDS(on) 96 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432SSymbol Test Conditions Maximum Ratings GVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VS

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IXFN64N60P

IXFN 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 61 APower MOSFET RDS(on) 85 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VSVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VG

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IXFN64N60P

IXFN 60N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 53 APower MOSFET RDS(on) 140 m trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VSGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

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IXFN64N60P

IXFN 60N60HiPerFETTM VDSS = 600 VID25 = 60 APower MOSFETsRDS(on) = 75 mWSingle Die MOSFETDN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrGPreliminary dataSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 600 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 600 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient

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History: SMP40N10 | IRF624A | 2SK4181-TL-E | IRLU024NPBF | WNM3017

 

 
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