IXFN73N30Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN73N30Q  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 481 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SOT227B

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IXFN73N30Q datasheet

 5.1. Size:131K  ixys
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IXFN73N30Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 m Power MOSFETs IXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) TO-264 AA (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings IXFK IXFN

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IXFN73N30Q

HiPerFETTM VDSS = 550 V IXFN 72N55Q2 Power MOSFET ID25 = 72 A RDS(on)= 72 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 550 V VDGR TJ = 25 C to 150

 9.2. Size:566K  ixys
 ixfn70n60q2.pdf pdf_icon

IXFN73N30Q

HiPerFETTM VDSS = 600 V IXFN 70N60Q2 Power MOSFET ID25 = 70 A RDS(on)= 80 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr Preliminary Data Sheet miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150

Otros transistores... IXFN62N80Q3, IXFN64N50P, IXFN64N50PD2, IXFN64N50PD3, IXFN64N60P, IXFN66N50Q2, IXFN70N60Q2, IXFN72N55Q2, IRF9540, IXFN80N48, IXFN80N50P, IXFN80N50Q2, IXFN80N50Q3, IXFN80N60P3, IXFN82N60P, IXFN82N60Q3, IXFP05N100M