IXFN73N30Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFN73N30Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 481 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 73 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 190 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT227B
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFN73N30Q
IXFN73N30Q Datasheet (PDF)
ixfk73n30 ixfn73n30.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 73 N 30 300 V 73 A 45 mPower MOSFETsIXFN 73 N 30 300 V 73 A 45 mtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)TO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFN
ixfn72n55q2.pdf
HiPerFETTMVDSS = 550 VIXFN 72N55Q2Power MOSFETID25 = 72 ARDS(on)= 72 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrPreliminary Data SheetminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 550 VVDGR TJ = 25C to 150
ixfn70n60q2.pdf
HiPerFETTMVDSS = 600 VIXFN 70N60Q2Power MOSFETID25 = 70 ARDS(on)= 80 mN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic RgHigh dV/dt, Low trrPreliminary Data SheetminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: BLF6G27-75
History: BLF6G27-75
Liste
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