IXFN80N50Q2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN80N50Q2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT227B

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IXFN80N50Q2 datasheet

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IXFN80N50Q2

IXFN 80N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 66 A Power MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V S

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IXFN80N50Q2

IXFN 80N50 VDSS = 500 V HiPerFETTM ID25 = 80 A Power MOSFETs RDS(on) = 55 m Single Die MOSFET D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr G S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V G

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IXFN80N50Q2

IXFN 82N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET ID25 = 82 A Power MOSFET RDS(on) 75 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V S G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600

Otros transistores... IXFN64N50PD3, IXFN64N60P, IXFN66N50Q2, IXFN70N60Q2, IXFN72N55Q2, IXFN73N30Q, IXFN80N48, IXFN80N50P, STP75NF75, IXFN80N50Q3, IXFN80N60P3, IXFN82N60P, IXFN82N60Q3, IXFP05N100M, IXFP102N15T, IXFP10N60P, IXFP10N80P