IXFP76N15T2 Todos los transistores

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IXFP76N15T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFP76N15T2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 350 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Corriente continua de drenaje (Id): 76 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 69 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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IXFP76N15T2 Datasheet (PDF)

1.1. ixfa76n15t2 ixfp76n15t2.pdf Size:180K _ixys

IXFP76N15T2
IXFP76N15T2

Advance Technical Information TrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 150V IXFA76N15T2 ID25 = 76A Power MOSFET IXFP76N15T2 ? ? RDS(on) ? ? ? 20m? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-263 AA (IXFA) Fast Intrnsic Rectifier G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (TAB) VDSS TJ = 25C to 175C 150 V TO-220AB (IXFP) VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M? 150 V VGSS Continuous

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