IXFQ14N80P Todos los transistores

 

IXFQ14N80P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFQ14N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros