IXFQ14N80P Todos los transistores

 

IXFQ14N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFQ14N80P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 400 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 800 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 14 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5.5 V

Carga de compuerta (Qg): 61 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.72 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFQ14N80P

 

IXFQ14N80P Datasheet (PDF)

No PDF!

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


IXFQ14N80P
  IXFQ14N80P
  IXFQ14N80P
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: US6U37 | US6M2 | US6M11 | US6M1 | US6K4 | US6K2 | US6K1 | US6J11 | US5U38 | US5U35 | US5U30 | US5U3 | US5U29TR | US5U2 | US5U1 |

 

 

 
Back to Top