IXFQ14N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFQ14N80P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
IXFQ14N80P Datasheet (PDF)
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Otros transistores... IXFP6N120P , IXFP76N15T2 , IXFP7N100P , IXFP7N80P , IXFP7N80PM , IXFP8N50PM , IXFQ10N80P , IXFQ12N80P , 7N60 , IXFQ22N60P3 , IXFQ24N50P2 , IXFQ28N60P3 , IXFQ50N60P3 , IXFQ60N50P3 , IXFR100N25 , IXFR102N30P , IXFR140N20P .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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