IXFR36N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFR36N60P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
- Selección de transistores por parámetros
IXFR36N60P Datasheet (PDF)
ixfr36n60p.pdf

IXFR 36N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 20 APower MOSFET RDS(on) 200 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15
ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf

IXFC 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 36N50P ID25 = 19 APower MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ
ixfr34n80.pdf

IXFR 34N80 VDSS = 800 VHiPerFETTM Power MOSFETsISOPLUS247TM ID25 = 28 A(Electrically Isolated Backside)RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET DieAvalanche RatedPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS
ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf

IXFC 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 30N60P ID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VE153432VDGR TJ = 25C to
Otros transistores... IXFR30N110P , IXFR30N60P , IXFR32N100P , IXFR32N100Q3 , IXFR32N80P , IXFR32N80Q3 , IXFR34N80 , IXFR36N50P , IRF840 , IXFR38N80Q2 , IXFR40N50Q2 , IXFR40N90P , IXFR44N50P , IXFR44N50Q , IXFR44N60 , IXFR44N80P , IXFR48N50Q .
History: IXTP50N28T | 3SK249
History: IXTP50N28T | 3SK249



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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