IXFR64N50Q3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFR64N50Q3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 145 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR64N50Q3

IXFR64N50Q3 Datasheet (PDF)

5.1. Size:143K ixys
ixfr64n50p.pdf

IXFR 64N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETID25 = 35 APower MOSFET RDS(on) 95 m ISOPLUS247TMtrr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247 (IXFR)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

7.1. Size:151K ixys
ixfr64n60p.pdf

VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFET IXFR 64N60PID25 = 36 APower MOSFET RDS(on) 105 m trr 200 ns(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISOPLUS247 (IXFR)E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 15

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Liste

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