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IXFT12N90Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFT12N90Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 298 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268

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IXFT12N90Q Datasheet (PDF)

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IXFT12N90Q

IXFH 12N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 12N90Q ID25 = 12 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.9 W Q Class N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC

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IXFT12N90Q

Advance Technical Information High Voltage HiPerFETTM VDSS = 1000V IXFT12N100QHV Power MOSFET ID25 = 12A Q-CLASS RDS(on) 1.05 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Continuous 20 V G = Ga

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IXFT12N90Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

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IXFT12N90Q

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History: DMC1017UPD | IXFT120N15P | IXFR80N50P

 

 
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