IXFT14N80P Todos los transistores

 

IXFT14N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFT14N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 61 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.72 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFT14N80P

 

IXFT14N80P Datasheet (PDF)

 7.1. Size:116K  ixys
 ixfh14n100 ixft14n100 ixfx14n100 ixfh15n100 ixft15n100 ixfx15n100.pdf pdf_icon

IXFT14N80P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT/IXFX14 N100 1000 V 14 A 0.75 W Power MOSFETs IXFH/IXFT/IXFX15 N100 1000 V 15 A 0.70 W trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data sheet TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 1000 V (TAB) VGS Continuous

 8.1. Size:177K  ixys
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IXFT14N80P

IXFH 140N10P VDSS = 100 V PolarHVTM HiPerFET IXFT 140N10P ID25 = 140 A Power MOSFETs RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode trr 150 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 V VGS Continu

 9.1. Size:53K  ixys
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IXFT14N80P

IXFH 12N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 12N90Q ID25 = 12 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.9 W Q Class N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC

 9.2. Size:130K  ixys
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