IXFT20N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFT20N100P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 660 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 126 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.57 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFT20N100P

IXFT20N100P Datasheet (PDF)

7.1. Size:144K ixys
ixfh20n60q ixft20n60q.pdf

IXFH 20N60Q VDSS = 600 VHiPerFETTMIXFT 20N60Q ID25 = 20 APower MOSFETs RDS(on) = 0.35 Q-Classtrr 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt,Low Gate Charge and CapacitancesSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS C

7.2. Size:149K ixys
ixfh20n80q ixfk20n80q ixft20n80q.pdf

IXFH20N80Q VDSS = 800 VHiPerFETTMIXFK20N80Q ID25 = 20 APower MOSFETs IXFT20N80Q RDS(on) = 0.42 Q-ClassN-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated,Low Qg, High dv/dtPreliminary DataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800

7.3. Size:326K ixys
ixfh20n80p ixft20n80p ixfv20n80p.pdf

IXFH 20N80PVDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 20N80PID25 = 20 APower MOSFETIXFV 20N80P RDS(on) 520 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 20N80PStrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RG

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: