IXFT24N50 Todos los transistores

 

IXFT24N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFT24N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 298 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 26 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 135 nC

Tiempo de elevación (tr): 250 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.23 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO268

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IXFT24N50 Datasheet (PDF)

1.1. ixfh21n50 ixfh24n50 ixfh26n50 ixfm21n50 ixfm24n50 ixfm26n50 ixft24n50 ixft26n50.pdf Size:158K _ixys

IXFT24N50
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VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM ? IXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 ? ? ? ? Power MOSFETs ? IXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 ? ? ? ? ? IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr ? ? 250 ns ? ? TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 500 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS =

1.2. ixfh24n50q ixft24n50q ixfh26n50q ixft26n50q.pdf Size:145K _ixys

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IXFT24N50

HiPerFETTM VDSS ID25 RDS(on) Power MOSFETs IXFH/IXFT 24N50Q 500 V 24 A 0.23 ? ? ? ? ? ? IXFH/IXFT 26N50Q 500 V 26 A 0.20 ? ? ? ? Q-Class ? trr ? ? 250 ns ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25C to 150C 500 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 500 V VGS Continuous 20 V (TAB)

 3.1. ixfh24n80p ixfk24n80p ixft24n80p.pdf Size:158K _ixys

IXFT24N50
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IXFH 24N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFK 24N80P ID25 = 24 A Power MOSFET ? ? IXFT 24N80P RDS(on) ? ? ? 400 m? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? ? trr ? 250 ns ? ? Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 800 V VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M? 800 V VGSS Continuous 30 V G VGSM Transient

3.2. ixft24n90p ixfh24n90p.pdf Size:122K _ixys

IXFT24N50
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Preliminary Technical Information VDSS = 900V IXFH24N90P PolarTM Power MOSFET ID25 = 24A IXFT24N90P HiPerFETTM ? ? RDS(on) ? 420m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode ? trr ? 300ns ? ? ? Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 150C 900 V VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M? 900 V TAB VGSS Continuous 30

Otros transistores... IXFT16N80P , IXFT16N90Q , IXFT18N90P , IXFT20N100P , IXFT20N80P , IXFT21N50 , IXFT21N50F , IXFT21N50Q , BF245A , IXFT24N50Q , IXFT24N80P , IXFT24N90P , IXFT26N50 , IXFT26N60P , IXFT28N50F , IXFT30N40Q , IXFT30N50P .

 

 
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