IXFT26N60P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFT26N60P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 72 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO268

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFT26N60P

IXFT26N60P Datasheet (PDF)

..1. Size:197K ixys
ixfh26n60p ixft26n60p ixfv26n60p.pdf

IXFH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXFT26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXFV26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXFV26N60PS trr 200 nsFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Contin

5.1. Size:107K ixys
ixfh26n60q ixft26n60q.pdf

IXFH 26N60Q VDSS = 600 VHiPerFETTMIXFT 26N60Q ID25 = 26 APower MOSFETsRDS(on) = 0.25 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 V(TAB)VGS Continuous 20 V

7.1. Size:158K ixys
ixfh21n50 ixfh24n50 ixfh26n50 ixfm21n50 ixfm24n50 ixfm26n50 ixft24n50 ixft26n50.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM21N50 500 V 21 A 0.25 Power MOSFETsIXFH/IXFM/IXFT24N50 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT26N50 500 V 26 A 0.20 N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family trr 250 ns TO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to

7.2. Size:145K ixys
ixfh24n50q ixft24n50q ixfh26n50q ixft26n50q.pdf

HiPerFETTM VDSS ID25 RDS(on)Power MOSFETs IXFH/IXFT 24N50Q 500 V 24 A 0.23 IXFH/IXFT 26N50Q 500 V 26 A 0.20 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: