IXFT60N50P3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFT60N50P3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1040 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO268

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IXFT60N50P3 datasheet

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IXFT60N50P3

Advanced Technical Information IXFH 60N25Q HiPerFETTM VDSS = 250 V IXFK 60N25Q Power MOSFETs ID25 = 60 A IXFT 60N25Q Q-Class RDS(on) = 47 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250

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IXFT60N50P3

VDSS = 1000 V IXFH 6N100Q HiPerFETTM ID25 = 6 A IXFT 6N100Q Power MOSFETs RDS(on) = 1.9 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V VG

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IXFT60N50P3

IXFH 69N30P VDSS = 300 V PolarHTTM HiPerFET IXFT 69N30P ID25 = 69 A Power MOSFET RDS(on) 49 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuou

Otros transistores... IXFT42N50P2, IXFT44N50P, IXFT50N30Q3, IXFT50N60P3, IXFT52N50P2, IXFT58N20, IXFT60N20, IXFT60N20F, IRF520, IXFT66N20Q, IXFT68N20, IXFT69N30P, IXFT6N100F, IXFT70N15, IXFT70N20Q3, IXFT74N20, IXFT7N90Q