IXFV30N60PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFV30N60PS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMD

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFV30N60PS

IXFV30N60PS Datasheet (PDF)

4.1. Size:324K ixys
ixfh30n60p ixfv30n60p ixft30n60p.pdf

IXFH 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 30N60P ID25 = 30 APower MOSFET IXFV 30N60P RDS(on) 240 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 30N60PS trr 200 nsFast Recovery DiodeAvalanche RatedPLUS220 (IXFV)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VGVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

7.1. Size:320K ixys
ixfh30n50p ixft30n50p ixfv30n50p.pdf

VDSS = 500 VIXFH 30N50PPolarHVTM HiPerFETID25 = 30 AIXFT 30N50PPower MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50PN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsIXFV 30N50PSAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VD (TAB)VDGR TJ = 25 C to

9.1. Size:338K ixys
ixfh36n50p ixft36n50p ixfv36n50p.pdf

IXFH 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFT 36N50P ID25 = 36 APower MOSFETIXFV 36N50P RDS(on) 170 m N-Channel Enhancement ModeIXFV 36N50PS trr 200 msAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: