IXFV36N50PS Todos los transistores

 

IXFV36N50PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFV36N50PS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMD

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFV36N50PS

 

IXFV36N50PS Datasheet (PDF)

 4.1. Size:338K  ixys
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IXFV36N50PS

IXFH 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFT 36N50P ID25 = 36 A Power MOSFET IXFV 36N50P RDS(on) 170 m N-Channel Enhancement Mode IXFV 36N50PS trr 200 ms Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS

 9.1. Size:320K  ixys
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IXFV36N50PS

VDSS = 500 V IXFH 30N50P PolarHVTM HiPerFET ID25 = 30 A IXFT 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXFV 30N50P N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns IXFV 30N50PS Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-247 AD (IXFH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V D (TAB) VDGR TJ = 25 C to

 9.2. Size:324K  ixys
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IXFV36N50PS

IXFH 30N60P VDSS = 600 V PolarHVTM HiPerFET IXFT 30N60P ID25 = 30 A Power MOSFET IXFV 30N60P RDS(on) 240 m N-Channel Enhancement Mode IXFV 30N60PS trr 200 ns Fast Recovery Diode Avalanche Rated PLUS220 (IXFV) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

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