IXFV74N20PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFV74N20PS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS220SMD
Búsqueda de reemplazo de IXFV74N20PS MOSFET
IXFV74N20PS Datasheet (PDF)
ixfv74n20p ixfv74n20ps ixfh74n20p.pdf

PolarHTTM Power VDSS = 200VIXFV74N20PID25 = 74AMOSFET HiPerFETTM IXFV74N20PS RDS(on) 34m IXFH74N20Ptrr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS220 (IXFV)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 175C 200 VSD (TAB)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 200
Otros transistores... IXFV30N50PS , IXFV30N60P , IXFV30N60PS , IXFV36N50P , IXFV36N50PS , IXFV52N30P , IXFV52N30PS , IXFV74N20P , 2N7000 , IXFV96N15P , IXFV96N15PS , IXFV96N20P , IXFX120N25 , IXFX120N25P , IXFX120N30T , IXFX140N25T , IXFX140N30P .
History: AP70SL950AI | HFH13N80 | AP60WN720I | CEB05N8 | HFP8N60S | SUB65P06-20 | FQPF30N06
History: AP70SL950AI | HFH13N80 | AP60WN720I | CEB05N8 | HFP8N60S | SUB65P06-20 | FQPF30N06



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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