IXFV74N20PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFV74N20PS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 107 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS220SMD
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFV74N20PS
IXFV74N20PS Datasheet (PDF)
ixfv74n20p ixfv74n20ps ixfh74n20p.pdf
PolarHTTM Power VDSS = 200VIXFV74N20PID25 = 74AMOSFET HiPerFETTM IXFV74N20PS RDS(on) 34m IXFH74N20Ptrr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodePLUS220 (IXFV)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 175C 200 VSD (TAB)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 200
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918