IXFV96N15PS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFV96N15PS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 480 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220SMD

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFV96N15PS

IXFV96N15PS Datasheet (PDF)

4.1. Size:318K ixys
ixfh96n15p ixfv96n15p.pdf

IXFH 96N15P VDSS = 150 VPolarHTTM HiPerFETIXFV 96N15P ID25 = 96 APower MOSFET IXFV 96N15PS RDS(on) 24 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGD(TAB)SVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175

7.1. Size:225K ixys
ixfh96n20p ixft96n20p ixfv96n20p.pdf

IXFH 96N20PPolarHTTM HiPerFETVDSS = 200 VIXFT 96N20PID25 = 96 APower MOSFETIXFV 96N20P RDS(on) 24 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V

Otros transistores... IXFV30N60PS , IXFV36N50P , IXFV36N50PS , IXFV52N30P , IXFV52N30PS , IXFV74N20P , IXFV74N20PS , IXFV96N15P , IRFP250N , IXFV96N20P , IXFX120N25 , IXFX120N25P , IXFX120N30T , IXFX140N25T , IXFX140N30P , IXFX160N30T , IXFX170N20P .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: