IXFX180N15P Todos los transistores

 

IXFX180N15P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFX180N15P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXFX180N15P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ixys
 ixfk180n15p ixfx180n15p.pdf pdf_icon

IXFX180N15P

VDSS = 150 VIXFK 180N15PPolarTM HiPerFETID25 = 180 AIXFX 180N15PPower MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Modetrr 200 nsFast Intrinsic DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 150 VVDS Continuous 20 VTO

 5.1. Size:109K  ixys
 ixfk180n10 ixfx180n10.pdf pdf_icon

IXFX180N15P

HiPerFETTM IXFK 180N10 VDSS = 100 VIXFX 180N10 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 8 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 180 A

 6.1. Size:138K  ixys
 ixfk180n25t ixfx180n25t.pdf pdf_icon

IXFX180N15P

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 250VIXFK180N25TID25 = 180APower MOSFETIXFX180N25T RDS(on) 12.9m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-264 (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 250 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 6.2. Size:46K  ixys
 ixfk180n085 ixfx180n085.pdf pdf_icon

IXFX180N15P

Advanced Technical InformationHiPerFETTM IXFK 180N085 VDSS = 85 VIXFX 180N085 ID25 = 180 APower MOSFETsRDS(on) = 7 mWSingle MOSFET Dietrr 250 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C85 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 85 VD (TAB)GVGS Continuous 20 VDVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C (MOSFET chip capability) 1

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