IXFX26N100P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFX26N100P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 780 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXFX26N100P MOSFET
IXFX26N100P Datasheet (PDF)
ixfk26n90 ixfx26n90 ixfk25n90 ixfx25n90.pdf

www.DataSheet4U.comVDSS IDSS RDS(on) trrHiPerFETTM Power MOSFETsIXFK/IXFX 26N90 900 V 26 A 0.30 W 250 nsIXFK/IXFX 25N90 900 V 25 A 0.33 W 250 nsSingle MOSFET DiePreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 900 VVGS Continuous 20 V (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID2
ixfk26n60q ixfx26n60q.pdf

IXFK 26N60Q VDSS = 600 VHiPerFETTMIXFX 26N60Q ID25 = 26 APower MOSFETsRDS(on) = 0.25 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGS Conti
ixfk260n17t ixfx260n17t.pdf

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 170VIXFK260N17TID25 = 260APower MOSFETIXFX260N17T RDS(on) 6.5m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXFK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C 170 VD(TAB)SVDGR TJ = 25C to 175C, RGS =
Otros transistores... IXFX220N15P , IXFX220N17T2 , IXFX230N20T , IXFX240N15T2 , IXFX24N100F , IXFX24N90Q , IXFX250N10P , IXFX25N90 , IRFZ24N , IXFX26N120P , IXFX26N60Q , IXFX27N80Q , IXFX30N100Q2 , IXFX30N110P , IXFX320N17T2 , IXFX32N100P , IXFX32N100Q3 .
History: IPB067N08N3G | IPP60R165CP | P1825HDB | TPCC8005-H
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