IXFX30N110P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFX30N110P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: PLUS247

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IXFX30N110P datasheet

 7.1. Size:123K  ixys
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IXFX30N110P

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK/IXFX 30N50Q 500 V 30 A 0.16 Power MOSFETs IXFK/IXFX 32N50Q 500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 9.1. Size:161K  ixys
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IXFX30N110P

IXFK 32N80P VDSS = 800 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 32N80P ID25 = 32 A Power MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Mode trr 250 ns Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGSS Contin

 9.2. Size:573K  ixys
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IXFX30N110P

VDSS ID25 RDS(on) IXFK 32N50Q HiPerFETTM IXFX 32N50Q 500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXFX) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M

 9.3. Size:124K  ixys
 ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFX30N110P

Advance Technical Information PolarTM HiPerFETTM VDSS = 900V IXFK32N90P Power MOSFETs ID25 = 32A IXFX32N90P RDS(on)

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