3SK113H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3SK113H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.08 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm

Encapsulados: TO131

 Búsqueda de reemplazo de 3SK113H MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3SK113H datasheet

 8.1. Size:55K  1
 3sk113.pdf pdf_icon

3SK113H

 9.1. Size:125K  1
 3sk101 3sk102 3sk114 3sk115.pdf pdf_icon

3SK113H

Otros transistores... 3SK108Q, 3SK108R, 3SK108S, 3SK108T, 3SK111, 3SK113, 3SK113F, 3SK113G, 20N50, 3SK113J, 3SK114, 3SK115, 3SK122, 3SK123, 3SK123AK, 3SK123AL, 3SK125P