2N6770JTXV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2N6770JTXV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2N6770JTXV

2N6770JTXV Datasheet (PDF)

8.1. Size:137K 1
2n6770.pdf

8.2. Size:144K international rectifier
2n6770 irf450.pdf

PD - 90330FREPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF450HEXFETTRANSISTORS JANTX2N6770THRU-HOLE (TO-204AA/AE) JANTXV2N6770500V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF450 500V 0.400 12AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestS

8.3. Size:64K omnirel
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION

Otros transistores... 2N6768JANTXV , 2N6768JTX , 2N6768JTXV , 2N6769 , 2N6770 , 2N6770JANTX , 2N6770JANTXV , 2N6770JTX , IRFB3306 , 2N6781 , 2N6781LCC4 , 2N6781-SM , 2N6782 , 2N6782JANTX , 2N6782JANTXV , 2N6782LCC4 , 2N6782-SM .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: