IXKC23N60C5 Todos los transistores

 

IXKC23N60C5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXKC23N60C5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
 

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IXKC23N60C5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  ixys
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IXKC23N60C5

IXKC 23N60C5ID25 = 23 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.1 Electrically isolated back surface2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated backS surfaceE72873Preliminary dataFeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions

 9.1. Size:172K  ixys
 ixkc20n60c.pdf pdf_icon

IXKC23N60C5

IXKC 20N60CVDSS = 600 VCoolMOS 1) Power MOSFETID25 = 15 ARDS(on) max = 190 mElectrically isolated back surface2500 V electrical isolationN-Channel Enhancement ModeDISOPLUS220TMLow RDSon, high VDSS MOSFETUltra low gate chargeGGD Sisolated tabSE72873FeaturesMOSFET Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate

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History: FMR09N90E | JCS19N20F | MTBA5N10Q8 | SSF1N80G5 | IXTP02N120P | SVS5N65FD2 | HCA60R290

 

 
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