IXKP24N60C5M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXKP24N60C5M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 390 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXKP24N60C5M

IXKP24N60C5M Datasheet (PDF)

9.1. Size:101K ixys
ixkp20n60c5m.pdf

IXKP 20N60C5MID25 = 7.6 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.2 Fully isolated packageN-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETDTO-220 FPUltra low gate chargeGDGSPreliminary dataSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationVDSS TVJ = 25C 600 V - High blocking capabi

9.2. Size:272K inchange semiconductor
ixkp20n60c5.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IXKP20N60C5FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 180m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitched mode power suppliesUninterruptible power suppli

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: